2024股票配资前三 英特尔：芯片互连取得突破性进展，线间电容降低25%
新浪科技讯 12月12日午间消息，近日，英特尔代工宣布芯片内互联技术取得重大突破，通过公司最新的减成法钌互连技术（subtractive Ruthenium）最高可将线间电容降低25%，有效改善了芯片内互连。
据介绍，减成法钌互连技术通过采用钌这一新型、关键、替代性的金属化材料，利用薄膜电阻率（thin film resistivity）和空气间隙（airgap），实现了在互连微缩方面的重大进步。该工艺无需通孔周围昂贵的光刻空气间隙区域（lithographic airgap exclusion zone），也可以避免使用选择性蚀刻的自对准通孔（self-aligned via）。在间距小于或等于 25 纳米时，采用减成法钌互连技术实现的空气间隙使线间电容最高降低 25%，可作为一种金属化方案在紧密间距层中替代铜镶嵌工艺。
据悉，这一解决方案有望在英特尔代工的未来制程节点中得以应用。
西部网讯（记者 李卓然）11月13日，西安市委宣传部、市政府新闻办在汉长安城未央宫国家考古遗址公园举行“千年古都 诗意长安”西安大遗址保护主题新闻发布活动。起点新闻·西部网记者从会上了解到，西安地区有杨官寨遗址、秦咸阳城遗址、秦始皇陵、汉长安城遗址、隋大兴唐长安城遗址等10处20个点列入国家文物局《大遗址保护利用“十四五”专项规划》。其中，秦始皇帝陵、汉长安城未央宫遗址、唐长安城大明宫遗址3处大遗址列入世界文化遗产名录，建成秦始皇陵、汉阳陵、汉长安城未央宫、大明宫4处国家考古遗址公园，居全国前列。
此外，英特尔代工还披露了一种用于先进封装的异构集成解决方案，能够将吞吐量提升高达100倍，实现超快速的芯片间封装（chip-to-chip assembly）。（文猛）
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